SSD диски

Дата выхода на рынок:

2016 г.

Объём:

60 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

MLC

Аппаратное шифрование:

Дата выхода на рынок:

2018 г.

Объём:

120 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

3D QLC NAND

Аппаратное шифрование:

Объём:

120 ГБ

Форм-фактор:

M.2

Интерфейс:

SATA 6Gbps

Тип микросхем Flash:

NAND TLC

Контроллер:

Silicon Motion SM2256

Толщина:

2.23 мм

Объём:

120 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 3.0

Энергопотребление (ожидание):

0.025 Вт

Толщина:

7 мм

Адаптер 3.5'':

Объём:

120 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

NAND TLC

Аппаратное шифрование:

Энергопотребление (ожидание):

0.195 Вт

Дата выхода на рынок:

2017 г.

Объём:

120 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

TLC

Контроллер:

Phison S11

Дата выхода на рынок:

2018 г.

Объём:

120 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

3D TLC NAND

Контроллер:

Marvell 88SS1074

Дата выхода на рынок:

2018 г.

Объём:

120 ГБ

Форм-фактор:

M.2

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

3D TLC NAND

Контроллер:

Marvell Dean

Объём:

240 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

NAND TLC

Аппаратное шифрование:

Энергопотребление (ожидание):

0.195 Вт

Дата выхода на рынок:

2017 г.

Объём:

240 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

3D MLC NAND

Аппаратное шифрование:

Объём:

128 ГБ

Форм-фактор:

M.2 (2280)

Интерфейс:

PCI Express 3.0 x4 (NVMe)

Тип микросхем Flash:

NAND TLC

Энергопотребление (ожидание):

0.14 Вт

Толщина:

3.5 мм

Дата выхода на рынок:

2017 г.

Объём:

128 ГБ

Форм-фактор:

M.2 (2280)

Тип микросхем Flash:

3D TLC NAND

Контроллер:

Realtek RTS5760

Аппаратное шифрование:

Объём:

240 ГБ

Форм-фактор:

M.2

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

NAND TLC

Контроллер:

Silicon Motion SM2256

Толщина:

2.23 мм

Дата выхода на рынок:

2017 г.

Объём:

240 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

TLC

Техпроцесс:

15 нм

Дата выхода на рынок:

2017 г.

Объём:

128 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

3D TLC NAND

Контроллер:

Silicon Motion SM2259

Дата выхода на рынок:

2018 г.

Объём:

240 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

3D QLC NAND

Аппаратное шифрование:

Объём:

120 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 6Gbps

Тип микросхем Flash:

NAND TLC

Контроллер:

Marvell 88SS1074

Энергопотребление (ожидание):

0.672 Вт

Дата выхода на рынок:

2017 г.

Объём:

120 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 3.0

Буфер:

256 МБ

Тип микросхем Flash:

3D NAND MLC

Тип накопителя :

SSD

Форм-фактор :

2.5''

Интерфейс :

SATA 3.0 (6Gbps)

Объм:

240 ГБ

Тип микросхем Flash:

NAND MLC

Контроллер :

Phison PS3108

Дата выхода на рынок:

2017 г.

Объём:

16 ГБ

Форм-фактор:

M.2  (2280)

Интерфейс:

PCI Express 3.0 x2  (NVMe)

Техпроцесс:

20 нм

Объём:

240 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

NAND TLC

Толщина:

6.8 мм

Адаптер 3.5'':

Дата выхода на рынок:

2017 г.

Объём:

240 ГБ

Форм-фактор:

M.2 (2280)

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

3D TLC NAND

Аппаратное шифрование:

Объём:

240 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 6Gbps

Тип микросхем Flash:

NAND TLC

Контроллер:

Marvell 88SS1074

Энергопотребление (ожидание):

0.672 Вт

Дата выхода на рынок:

2018 г.

Объём:

240 ГБ

Форм-фактор:

M.2

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

3D TLC NAND

Контроллер:

Marvell Dean

Объём:

250 ГБ

Форм-фактор:

M.2 (2280)

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

3D V-NAND

Толщина:

2.23 мм

Адаптер 3.5'':

Дата выхода на рынок:

2018 г.

Объём:

240 ГБ

Форм-фактор:

M.2

Тип микросхем Flash:

3D TLC NAND

Контроллер:

Phison PS5008-E8

Энергопотребление (ожидание):

0.0117 Вт

Объём:

250 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

3D V-NAND

Толщина:

7 мм

Адаптер 3.5'':

Дата выхода на рынок:

2017 г.

Объём:

250 ГБ

Форм-фактор:

M.2

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

3D TLC NAND

Контроллер:

Silicon Motion SM2258

Дата выхода на рынок:

2017 г.

Объём:

250 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

3D TLC NAND

Контроллер:

Silicon Motion SM2258

Объём:

240 ГБ

Форм-фактор:

mSATA

Интерфейс:

SATA 6Gbps

Тип микросхем Flash:

NAND MLC

Контроллер:

SandForce SF-2241

Аппаратное шифрование:

AES 128bit

Дата выхода на рынок:

2017 г.

Объём:

256 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

3D TLC NAND

Контроллер:

Silicon Motion SM2259

Дата выхода на рынок:

2018 г.

Объём:

250 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 3.0

Контроллер:

Samsung MJX

Буфер:

512 МБ  (LPDDR4)

Объём:

480 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

NAND TLC

Аппаратное шифрование:

Энергопотребление (ожидание):

0.195 Вт

Объём:

256 ГБ

Форм-фактор:

M.2

Интерфейс:

PCI Express 3.0 x4

Тип микросхем Flash:

TLC

Аппаратное шифрование:

AES 256bit

Энергопотребление (ожидание):

0.04 Вт

Объём:

480 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

TLC

Техпроцесс:

19 нм

Контроллер:

Marvell 88SS9189

Дата выхода на рынок:

2018 г.

Объём:

250 ГБ

Форм-фактор:

M.2

Интерфейс:

PCI Express 3.0 x4

Тип микросхем Flash:

3D TLC NAND

Контроллер:

SanDisk 20-82-007011

Дата выхода на рынок:

2017 г.

Объём:

500 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

3D TLC NAND

Контроллер:

Silicon Motion SM2258

Дата выхода на рынок:

2017 г.

Объём:

500 ГБ

Форм-фактор:

M.2

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

3D TLC NAND

Контроллер:

Silicon Motion SM2258

Дата выхода на рынок:

2017 г.

Объём:

500 ГБ

Форм-фактор:

M.2  (2280)

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

3D NAND MLC

Энергопотребление (ожидание):

0.0034 Вт

Дата выхода на рынок:

2018 г.

Объём:

250 ГБ

Форм-фактор:

M.2

Контроллер:

Samsung Phoenix

Буфер:

512 МБ (LPDDR4)

Аппаратное шифрование:

AES 256bit

Объём:

240 ГБ

Форм-фактор:

M.2

Интерфейс:

SATA 6Gbps

Тип микросхем Flash:

NAND MLC

Энергопотребление (ожидание):

0.06 Вт

Толщина:

3.5 мм

Дата выхода на рынок:

2018 г.

Объём:

256 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

3D MLC NAND

Контроллер:

Samsung MJX

Дата выхода на рынок:

2018 г.

Объём:

480 ГБ

Форм-фактор:

M.2

Тип микросхем Flash:

3D TLC NAND

Контроллер:

Phison PS5008-E8

Энергопотребление (ожидание):

0.0117 Вт

Объем:

500 ГБ

Форм-фактор:

2,5 дюйма

Размеры (ШxВxТ):

100х69,85х6,8 мм

NAND Type:

Samsung V-NAND 3bit MLC

Контроллер:

Samsung MJX

Поддержка технологии TRIM:

есть

Емкость:

500 ГБ

Форм-фактор:

2.5 дюйма

Тип NAND:

Samsung V-NAND 3bit MLC

Контроллер:

MJX контроллер Samsung

Поддержка TRIM:

есть

Поддержка S.M.A.R.T:

есть

Объём:

256 ГБ

Форм-фактор:

M.2

Интерфейс:

PCI Express 3.0 x4

Аппаратное шифрование:

AES 256bit

Энергопотребление (ожидание):

0.04 Вт

Адаптер 3.5'':

Объём:

150 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

3D V-NAND

Техпроцесс:

16 нм

Аппаратное шифрование:

AES 256bit

Дата выхода на рынок:

2017 г.

Объём:

512 ГБ

Форм-фактор:

M.2 (2280)

Тип микросхем Flash:

3D TLC NAND

Контроллер:

Realtek RTS5760

Аппаратное шифрование:

Объём:

240 ГБ

Форм-фактор:

M.2

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

NAND MLC

Техпроцесс:

19 нм

Контроллер:

Phison PS3108

Дата выхода на рынок:

2018 г.

Объём:

240 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

3D TLC NAND

Аппаратное шифрование:

AES 256bit

Дата выхода на рынок:

2018 г.

Объём:

500 ГБ

Форм-фактор:

M.2

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

3D TLC NAND

Контроллер:

Samsung MJX

Объём:

240 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 6Gbps

Контроллер:

Phison PS3110 (S10)

Толщина:

7 мм

Адаптер 3.5'':

Объём:

525 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 6Gbps

Тип микросхем Flash:

3D V-NAND

Толщина:

7 мм

Дата выхода на рынок:

2018 г.

Объём:

500 ГБ

Форм-фактор:

M.2

Контроллер:

Samsung Phoenix

Буфер:

512 МБ (LPDDR4)

Аппаратное шифрование:

AES 256bit

Объём:

480 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 6Gbps

Контроллер:

Phison PS3110 (S10)

Толщина:

7 мм

Адаптер 3.5'':

Объём:

480 ГБ

Форм-фактор:

M.2

Интерфейс:

SATA 6Gbps

Тип микросхем Flash:

NAND MLC

Энергопотребление (ожидание):

0.06 Вт

Толщина:

3.5 мм

Дата выхода на рынок:

2017 г.

Объём:

1 ТБ

Форм-фактор:

M.2

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

3D TLC NAND

Контроллер:

Silicon Motion SM2258

Дата выхода на рынок:

2017 г.

Объём:

1 ТБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

3D TLC NAND

Контроллер:

Silicon Motion SM2258

Объём:

512 ГБ

Форм-фактор:

M.2

Интерфейс:

PCI Express 3.0 x4

Тип микросхем Flash:

NAND MLC

Аппаратное шифрование:

Толщина:

2.23 мм

Объём:

200 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 3.0

Толщина:

7 мм

Дата выхода на рынок:

2017 г.

Объём:

1 ТБ

Форм-фактор:

M.2 (2280)

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

3D TLC NAND

Контроллер:

Marvell 88SS1074

Объём:

512 ГБ

Форм-фактор:

M.2

Тип микросхем Flash:

3D MLC NAND

Контроллер:

Samsung Phoenix

Буфер:

512 МБ

Аппаратное шифрование:

AES 256bit

Объем:

1000 ГБ

Форм-фактор:

2,5 дюйма

Размеры (ШxВxТ):

100х69,85х6,8 мм

NAND Type:

Samsung V-NAND 3bit MLC

Контроллер:

Samsung MJX

Поддержка технологии TRIM:

есть

Дата выхода на рынок:

2016 г.

Объём:

1 ТБ

Форм-фактор:

M.2

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

TLC

Техпроцесс:

16 нм

Дата выхода на рынок:

2017 г.

Объём:

1 ТБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

3D TLC NAND

Контроллер:

Marvell 88SS1074

Объём:

1 ТБ

Форм-фактор:

M.2

Интерфейс:

SATA 6Gbps

Буфер:

512 МБ

Тип микросхем Flash:

3D V-NAND

Контроллер:

Samsung MGX

Объём:

960 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

TLC

Толщина:

6.8 мм

Адаптер 3.5'':

Дата выхода на рынок:

2016 г.

Объём:

512 ГБ

Форм-фактор:

M.2

Тип микросхем Flash:

3D MLC NAND

Контроллер:

Samsung Polaris

Буфер:

1 024 МБ

Объём:

480 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

3D MLC NAND

Буфер:

512 МБ

Аппаратное шифрование:

AES 256bit

Объём:

480 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 3.0

Тип микросхем Flash:

MLC

Энергопотребление (ожидание):

1.2 Вт

Толщина:

7 мм

Объём:

480 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 6Gbps

Тип микросхем Flash:

NAND MLC

Техпроцесс:

16 нм

Аппаратное шифрование:

AES 256bit

Объём:

960 ГБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 6Gbps

Контроллер:

Phison PS3110 (S10)

Толщина:

7 мм

Адаптер 3.5'':

Объём:

1 ТБ

Форм-фактор:

2.5''

Интерфейс:

SATA 6Gbps

Аппаратное шифрование:

AES 256bit

Энергопотребление (ожидание):

0.4 Вт

Толщина:

6.8 мм

Дата выхода на рынок:

2018 г.

Объём:

1 ТБ

Форм-фактор:

M.2

Тип микросхем Flash:

3D TLC NAND

Контроллер:

Samsung Phoenix

Буфер:

1 024 МБ (LPDDR4)

Объём:

1 ТБ

Форм-фактор:

M.2

Тип микросхем Flash:

3D MLC NAND

Контроллер:

Samsung Phoenix

Буфер:

1 024 МБ

Аппаратное шифрование:

AES 256bit